Сделаны силиценовые транзисторы шириной в 1 атом

Ученые из Техасского института в Остине (США) сделали первые транзисторы на базе силицена. На теоретическом уровне это открывает маршрут к образованию компьютерных чипов, которые будут существенно стремительней, плотнее и энергоэффективнее передовых решений.

Monty Rakusen/cultura/Corbis

Monty Rakusen/cultura/Corbis

Силицен — это двумерное объединение кремния, такое графену. Невзирая на вероятную сопоставимость с существующей полупроводниковой техникой, приобретение частей на базе силицена представляет из себя очень трудоёмкий процесс из-за проблемы и непостоянности источника при действии воздуха.

Для принятия силиценовых транзисторов шириной в 1 атом североамериканские учёные спроектировали свежую методику. На 1-м раунде в криогенной камере было сделано выпадение атомов кремния из нагретого пара с формированием на серебристой плёнке силиценового пласта. Дальше поверху него ученые принесли нанометровый пласт оксида алюминия. После этого приобретенную конструкцию удалось передвинуть на кремниевую подложку, разместив серебристой плёнкой наверх. В конце концов, на конечном раунде оковём точного скобления серебристой плёнки учёные сумели образовать транзисторы.

Само собой, пока рассуждать о утилитарном применении силиценовых транзисторов рано, однако ученые собираются продлить собственные исследования. Не исключено, что в будущем итоги работы помогут в разработке сверхбыстрых и бюджетных компьютерных чипов. 

Вы можете оставить комментарий, или ссылку на Ваш сайт.

Оставить комментарий